长江日报:武汉新芯将推出下一代闪存芯片
2014-09-26 16:50:50
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光谷芯片产业发展25日迈出重要一步:我省集成电路龙头企业武汉新芯与全球最大闪存企业Spansion公司签约,合作研发生产3D NAND(三维数据型闪存芯片)。

三维闪存芯片是业界公认的下一代大容量闪存技术,该技术通过在硅片表面垂直叠加几十个或更多的电荷存储层,提高单颗芯片的存储密度。通俗理解,以往闪存芯片内布置存储单元时全部平铺,就像修平房,虽然芯片越做越小,但总有物理极限。三维闪存芯片就是盖高楼,造出楼梯,让信息能够在不同“楼层”之间进行储存和传输。三维闪存芯片可以提供更大数据存储能力,满足手机、电脑等电子产品外形更纤薄功能更强大的要求。

这一领域目前的翘楚是韩国三星电子。去年8月,三星电子开始量产3D垂直堆叠型结构闪存芯片,成为世界上首家量产这种突破半导体微细化技术极限的内存芯片公司。芯片强国日本和美国企业也宣布,明年底后年初将推出相关产品。

此次合作双方将利用各自在闪存存储器方面多年的研发生产经验,快速切入三维闪存芯片领域,参与国际竞争。

武汉新芯与Spansion公司合作始于2008年。今年6月,双方合作生产的全球首片32纳米闪存晶圆各项器件性能验证成功,代表了行业最高水平。

近年来,移动智能终端爆发式增长,移动互联、云计算、物联网、大数据等新业态快速发展,智能卡、汽车电子、可穿戴设备等新兴应用不断出现,成为继计算机、网络通信、消费电子之后推动芯片产业发展的新动力。

目前,双方在知识产权和技术研发等方面已经完成布局。2016年底投产,2017年量产,最终达到月产20万片生产能力,与国际强手站上同一起跑线。

   (本条消息来自《长江日报》20140926日第21 记者裴道彰