高德红外:在制冷型大规模探测器芯片领域取得重大突破
2019-06-06 15:39:25
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3551企业高德红外近日发布公告称,国家技术转移中部中心组织行业专家对其“1280×1024规模、12μm像元尺寸的碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器”项目进行了评价。

专家组听取了项目的研制成果汇报、技术报告、应用报告及经济效益和社会效益分析报告,观看了成果演示,经过质询和讨论,评价专家组一致同意该碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器项目通过科技成果评价。

图片来源:高德红外

高德红外研制的1280×1024规模、12μm像元尺寸的碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器芯片,经华东电子测量仪器研究所光电计量校准中心测试,主要技术性能指标达到或优于市场同类产品指标;该项目是典型的高新技术军民两用产品,具有良好的社会效益和经济效益前景。

评价专家组一致认为该成果整体达到行业先进水平,具备红外探测器产业化的基础,建议进一步加快延伸开发及推广应用。

图片来源:高德红外

据悉,企业此次通过评审的项目是公司继掌握非制冷1280×1024@12μm探测器芯片研制技术后,在制冷型大规模探测器芯片领域取得的又一重大突破。

其使用的最大面阵及最小像元等指标都代表着我国制冷型红外探测器芯片研发与制造的最高水平,可大幅提升红外热像仪系统的空间分辨率,提高探测距离、识别距离等。

图片来源:高德红外

结合高德红外现已建成的制冷探测器芯片批产线优势,该碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器芯片的研制成功将大幅度提升高端红外热成像产品性能指标,有力促进高端碲镉汞材料和探测器芯片产业核心能力的提升。

值得注意的,高德红外指出,公司募集资金投资项目建设的制冷型碲镉汞及Ⅱ类超晶格红外探测器产业化项目现正处于产业化建设阶段,经济效益需要一定时间才能体现。